HGTD3N60C3S9A
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | HGTD3N60C3S9A |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
Testbedingung | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | 85µJ (on), 245µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | - |
Leistung - max | 33 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 10.8 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 6 A |
Grundproduktnummer | HGTD3N60 |
HGTD3N60C3S9A Einzelheiten PDF [English] | HGTD3N60C3S9A PDF - EN.pdf |
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2024/07/4
2025/02/11
2024/04/13
2024/08/22
HGTD3N60C3S9Aonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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